Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин

Main Author: Ардышев, М. В.Coauthor: Ардышев, В. М.;Пичугин, В. Ф., российский физик, профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук, 1944-, Владимир ФедоровичLanguage: русский.Country: Россия.Bibliography: Библиогр.: 8 назв..Subject: отжиг | радиационный отжиг | диффузия | ионно-легированные слои | электронный отжиг | труды учёных ТПУ
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Star ratings
    Average rating: 0.0 (0 votes)
No physical items for this record

Библиогр.: 8 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.