Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : Спец. 01.04.10 / Д. В. Григорьев ; Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете; науч. рук. А. В. Войцеховский

Main Author: Григорьев, Д. В., Денис ВалерьевичSecondary Author: Войцеховский, А. В., Александр ВасильевичCorporate Author (Secondary): Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : [Б. и.], 2005Description: 218 л. : ил.Classification: 01.04.10Bibliography: Библиогр.: с. 192-209 (164 назв.).Subject: физика | полупроводниковые соединения | эпитаксиальные пленки | радиационные воздействия | высокоэнергетические частицы | ионы | облучение | кристаллы | выращивание | молекулярно-лучевая эпитаксия | ионная имплантация | электрофизические параметры | измерение | электроны | теллурид кадмия ртути | теллурид кадмия цинка | радиационное дефектообразование | моделирование | электрически активные дефекты | накопление | распределение | диссертации
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Star ratings
    Average rating: 0.0 (0 votes)
Holdings
Cover image Item type Current library Home library Collection Shelving location Call number Materials specified Vol info URL Copy number Status Notes Date due Barcode Item holds Item hold queue priority Course reserves
Books НТБ ТПУ Научный фонд Р-6354 Available 13821000248935
Total holds: 0

Библиогр.: с. 192-209 (164 назв.)

There are no comments on this title.

to post a comment.