Библиогр.: с. 147-148.

В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены классификация моделей и подходы к их синтезу. Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования элементов и фрагментов ИС. Включены примеры двумерного и трехмерного моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И² Л-элементах в самых разнообразных режимах их функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды. Пособие предназначается для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим мо­дели элементов ИС в своих исследованиях.