Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.07 / С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники; Научн. конс.: Н. С. Несмелов
Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : 2002Description: 304 л. : ил.Classification: 01.04.07Bibliography: Библиогр.: с. 242-259..Subject - Topical Name: Щелочно-галоидные кристаллы -- Дефекты Subject: кристаллография | микронные слои | электрическая прочность | электрические поля | кинетика | диссертации| Cover image | Item type | Current library | Home library | Collection | Shelving location | Call number | Materials specified | Vol info | URL | Copy number | Status | Notes | Date due | Barcode | Item holds | Item hold queue priority | Course reserves | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | Р-6138 | Available | 13821000060647 |
Total holds: 0
Библиогр.: с. 242-259.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.