Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: / С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : [Б. и.], 2002Description: 43 с. : ил.Classification: 01.04.07Bibliography: Библиогр.: с. 41-43..Subject - Topical Name: Щелочно-галоидные кристаллы -- Дефекты Subject: кристаллография | микронные слои | электрическая прочность | ударная ионизация | дефектообразование | электропроводность | электрические поля | кинетика | авторефераты диссертаций| Cover image | Item type | Current library | Home library | Collection | Shelving location | Call number | Materials specified | Vol info | URL | Copy number | Status | Notes | Date due | Barcode | Item holds | Item hold queue priority | Course reserves | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | 02-1977 | Available | 13821000065042 |
Total holds: 0
Защита сост. 18.06.2002
Библиогр.: с. 41-43.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.