Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение : диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук / А. А. Вилисов ; Томский государственный университет
Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : 2001Description: 341 л. : ил.Bibliography: Библиогр.: с. 304-322..Subject: электроника | излучающие диоды | мощные излучающие диоды | эпитаксиальные структуры | светоизлучающие диоды | светодиодные аппараты | физиотерапевтические аппараты | поверхностное воздействие | внутриполостная физиотерапия | диссертации| Cover image | Item type | Current library | Home library | Collection | Shelving location | Call number | Materials specified | Vol info | URL | Copy number | Status | Notes | Date due | Barcode | Item holds | Item hold queue priority | Course reserves | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | Р-6045 | Available | 13821000042105 |
Total holds: 0
Библиогр.: с. 304-322.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.