Электронные свойства дислокаций в полупроводниках / Под ред. Ю. А. Осипьяна
Language: русский.Country: Россия.Publication: Москва : Эдиториал УРСС, 2000Description: 319 с. : ил.ISBN: 5836000689.Abstract: Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях А2В6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю. А. Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей..Bibliography: Библиогр.: с. 311-312.; Предм. указ.: с. 313-315..Subject: физика | полупроводники | электронные свойства | дислокации | кристаллы | кремний | германий | структурные дефекты | деформированные структуры | оптические свойства | полупроводниковые соединения | дефекты | примеси| Cover image | Item type | Current library | Home library | Collection | Shelving location | Call number | Materials specified | Vol info | URL | Copy number | Status | Notes | Date due | Barcode | Item holds | Item hold queue priority | Course reserves | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | 01-1297 | Available | 13821000043183 |
Библиогр.: с. 311-312.
Предм. указ.: с. 313-315.
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях А2В6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю. А. Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
There are no comments on this title.