Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства : Автореферат диссертации доктора физико-математических наук / Н. Г. Филонов ; Томский государственный университет
Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : [Б. и.], 2000Description: 35 с.Subject: полупроводники | диэлектрики | физика | галлия арсенид | барьер Шоттки | контакты | структура | электрические свойства | авторефераты диссертаций| Cover image | Item type | Current library | Home library | Collection | Shelving location | Call number | Materials specified | Vol info | URL | Copy number | Status | Notes | Date due | Barcode | Item holds | Item hold queue priority | Course reserves | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | С-20188 | Available (доступ ограничен) | |||||||||||||||
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | С-20184 | Available (доступ ограничен) |
Total holds: 0
Для получения документов с грифом ДСП пользователь оформляет заявление… Правила оформления смотрите https://lib.tpu.ru/html/catalog-instructions в разделе "Электронный заказ документов"
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.