Зарождение пор в металлах при радиационном воздействии [Электронный ресурс] / В. Л. Орлов, А. Г. Малышкина, А. В. Орлов
Set Level: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ) = 2000-Language: русский.Country: Россия.Description: 1 файл (803 Кб)Series: Физика атомного ядра и частицAbstract: Облучение высокоэнергетическими частицами приводит к радиационному распуханию металлов и сплавов. При распухании в объеме материала образуются поры - результат распада системы избыточных вакансий, созданных излучением. Неустойчивость однородного пространственного распределения избыточных вакансий может быть вызвана полем упругих растягивающих напряжений, создаваемым самими вакансиями. В данной работе проведено компьютерное моделирование двумерного кристалла с целью определения устойчивости вакансионных кластеров и условий их самопроизвольного образования. Применен метод молекулярной динамики. Установлено, что искусственно созданные кластеры вакансий достаточно быстро рассасываются. Однородное пространственное распределение вакансий становится неустойчивым при превышении силами всестороннего растяжения кристаллической решетки некоторого критического значения. Таким образом, может считаться установленной физическая причина порообразования - действие упругих растягивающих напряжений..Bibliography: [Библиогр.: с. 318 (4 назв.)].Subject: металлы | порообразование | радиационное воздействие | молекулярная динамика | компьютерное моделирование | двумерные кристаллы | электронный ресурс | вакансионные кластеры | самопроизвольное образование | избыточные вакансии Online Resources:Click here to access onlineЗаглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
[Библиогр.: с. 318 (4 назв.)]
Облучение высокоэнергетическими частицами приводит к радиационному распуханию металлов и сплавов. При распухании в объеме материала образуются поры - результат распада системы избыточных вакансий, созданных излучением. Неустойчивость однородного пространственного распределения избыточных вакансий может быть вызвана полем упругих растягивающих напряжений, создаваемым самими вакансиями. В данной работе проведено компьютерное моделирование двумерного кристалла с целью определения устойчивости вакансионных кластеров и условий их самопроизвольного образования. Применен метод молекулярной динамики. Установлено, что искусственно созданные кластеры вакансий достаточно быстро рассасываются. Однородное пространственное распределение вакансий становится неустойчивым при превышении силами всестороннего растяжения кристаллической решетки некоторого критического значения. Таким образом, может считаться установленной физическая причина порообразования - действие упругих растягивающих напряжений.
Adobe Reader
There are no comments on this title.