Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах [Электронный ресурс] / Ю. М. Анненков, А. М. Оловяшникова
Set Level: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ) = 2000-Language: русский.Country: Россия.Description: 1 файл (3.3 Мб)Abstract: Разработана программа DEFECT для машинных расчетов энергетики дефектного ионного кристалла методами молекулярной статики. Программа состоит из трех подпрограмм: RESOT, предназначенную для построения координат идеального кристалла, SFERA, имеющую целью нахождение соседей иона на любом числе координационных сфер и SILA, позволяющую определять энергии взаимодействия между частицами и силы, действующие на данный ион. В центр модельного кристалла, состоящего из 1100 ионов, помещается рассматриваемый дефект. Ионы моделируются как точечные, неполяризующиеся заряды, величина которых соответствует истинным зарядам ионов кристалла. В модели при осуществлении операции минимизации энергии кристалла с дефектом проблемы дальнодействия кулоновского потенциала и учета электронно-деформационной поляризации решаются приближенно на макроскопическом уровне. С помощью программы DEFECT проведены расчеты энергетики образования и миграции шоттковских и френкелевских дефектов в ЩГК, энергий агрегатов вакансий различной сложности. Выполнен анализ эффективности взаимодействия между простейшими и сложными радиационными дефектами, определены энергетические стимулы различных радиационных процессов в ионных кристаллах, возбуждаемых ионизирующим излучением..Bibliography: [Библиогр.: 135-136 (82 назв.)].Subject: щелочно-галоидные кристаллы | молекулярная статистика | методы | радиационные дефекты | ионные кристаллы | ионизирующее излучение | труды учёных ТПУ | электронный ресурс Online Resources:Click here to access onlineЗаглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
[Библиогр.: 135-136 (82 назв.)]
Разработана программа DEFECT для машинных расчетов энергетики дефектного ионного кристалла методами молекулярной статики. Программа состоит из трех подпрограмм: RESOT, предназначенную для построения координат идеального кристалла, SFERA, имеющую целью нахождение соседей иона на любом числе координационных сфер и SILA, позволяющую определять энергии взаимодействия между частицами и силы, действующие на данный ион. В центр модельного кристалла, состоящего из 1100 ионов, помещается рассматриваемый дефект. Ионы моделируются как точечные, неполяризующиеся заряды, величина которых соответствует истинным зарядам ионов кристалла. В модели при осуществлении операции минимизации энергии кристалла с дефектом проблемы дальнодействия кулоновского потенциала и учета электронно-деформационной поляризации решаются приближенно на макроскопическом уровне. С помощью программы DEFECT проведены расчеты энергетики образования и миграции шоттковских и френкелевских дефектов в ЩГК, энергий агрегатов вакансий различной сложности. Выполнен анализ эффективности взаимодействия между простейшими и сложными радиационными дефектами, определены энергетические стимулы различных радиационных процессов в ионных кристаллах, возбуждаемых ионизирующим излучением.
Adobe Reader
There are no comments on this title.