Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами [Электронный ресурс] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко
Set Level: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ) = 2000-Language: русский.Country: Россия.Description: 1 файл (2.1 Мб)Abstract: В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре..Bibliography: [Библиогр.: 116 (39 назв.)].Subject: высокоэнергетическое облучение | дефектообразование | теллурид кадмия | теллурид ртути | электронный ресурс Online Resources:Click here to access onlineЗаглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
[Библиогр.: 116 (39 назв.)]
В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре.
Adobe Reader
There are no comments on this title.