Пикосекундная радиационно-индуцированная проводимость щелочногалоидных кристаллов с решеткой типа NaCl [Электронный ресурс] / Б. П. Адуев, А. Н. Швайко, В. М. Фомченко
Set Level: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ) = 2000-Language: русский.Country: Россия.Description: 1 файл (1.3 Мб)Abstract: В работе исследована радиационно-индуцированная проводимость кристаллов KCl, KBr, NaCl при возбуждении пучками электронов (0,2 МэВ, 50 пс) в интервале плотностей возбуждения 100÷10000 А/см2 и температурном интервале 12÷300 К. Показано, что проводимость обладает пикосекундной инерционностью и связана с термализованными электронами, избежавшими рекомбинации в генетических электронно-дырочных парах. Время жизни и квазистационарная концентрация электронов в зоне проводимости контролируется тремя процессами: во-первых - захватом на дефекты структуры и предварительно накопленные стабильные радиационные дефекты; во-вторых - бимолекулярной рекомбинацией с дырками (Vk-центрами); в-третьих - захватом на нестабильные радиационные дефекты, которые генерируются в момент импульса возбуждения..Bibliography: [Библиогр.: 34 (13 назв.)].Subject: щелочно-галоидные кристаллы | радиационно-индуцированная проводимость | пучки электронов | пикосекундная инерционность | электронно-дырочные пары | электронный ресурс Online Resources:Click here to access onlineЗаглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
[Библиогр.: 34 (13 назв.)]
В работе исследована радиационно-индуцированная проводимость кристаллов KCl, KBr, NaCl при возбуждении пучками электронов (0,2 МэВ, 50 пс) в интервале плотностей возбуждения 100÷10000 А/см2 и температурном интервале 12÷300 К. Показано, что проводимость обладает пикосекундной инерционностью и связана с термализованными электронами, избежавшими рекомбинации в генетических электронно-дырочных парах. Время жизни и квазистационарная концентрация электронов в зоне проводимости контролируется тремя процессами: во-первых - захватом на дефекты структуры и предварительно накопленные стабильные радиационные дефекты; во-вторых - бимолекулярной рекомбинацией с дырками (Vk-центрами); в-третьих - захватом на нестабильные радиационные дефекты, которые генерируются в момент импульса возбуждения.
Adobe Reader
There are no comments on this title.