Разработка и внедрение многоэлементных методик контроля частоты п/п материалов и методик послойного анализа CaAs : заключительный отчет о НИР : тема: 5-3/79 / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель А. Г. Стромберг ; А. А. Каплин
Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : 1980Description: 42 л.Abstract: Разработана методика определения Zn, Cd, Pb, Cu, Bi. Sb, Au,Sn, Te, Fe из одной навески пленок SiO2, Si3N4, Al2O3 на арсениде галлия. После растворения пленок и удаления SiF4 проводят экстракционное отделение Ga, Au, Fe диэтиловым эфиром. Водную фазу анализируют на Te, Sn + Pb, Bi, Sb, Cu на кислом фоне. После упаривания кислого фона и обработки его водой проводят определение Zn, Cd, Pb на нейтральном фоне. Методика послойного анализа GaAs, Se на содержание Sl основана на определении Se по пикам восстановления соединения Se с Bi , полученного в результате совместного осаждения Se с Bi.. Мещающее влияние As устраняется отгонкой мышьяка в виде AsСl3 на водяной бане. Определение As, Ge в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 проводят из отдельных навесов (для определения As используют графитовый электрод с золотой пленкой, для определения Ge - ртутная капля)..Bibliography: Библиогр.: с. 41-42..Subject - Topical Name: Вольтамперометрия инверсионная Subject: отчеты о НИР | многоэлементный анализ | ртутно-пленочные электроды | графитовые электроды | травление пленок | экстрация | труды учёных ТПУ| Cover image | Item type | Current library | Home library | Collection | Shelving location | Call number | Materials specified | Vol info | URL | Copy number | Status | Notes | Date due | Barcode | Item holds | Item hold queue priority | Course reserves | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | Р-4364 | Available | 13821000410834 |
Библиогр.: с. 41-42.
Разработана методика определения Zn, Cd, Pb, Cu, Bi. Sb, Au,Sn, Te, Fe из одной навески пленок SiO2, Si3N4, Al2O3 на арсениде галлия. После растворения пленок и удаления SiF4 проводят экстракционное отделение Ga, Au, Fe диэтиловым эфиром. Водную фазу анализируют на Te, Sn + Pb, Bi, Sb, Cu на кислом фоне. После упаривания кислого фона и обработки его водой проводят определение Zn, Cd, Pb на нейтральном фоне. Методика послойного анализа GaAs, Se на содержание Sl основана на определении Se по пикам восстановления соединения Se с Bi , полученного в результате совместного осаждения Se с Bi.. Мещающее влияние As устраняется отгонкой мышьяка в виде AsСl3 на водяной бане. Определение As, Ge в пленках SiO2, Si3N4, Al2O3 проводят из отдельных навесов (для определения As используют графитовый электрод с золотой пленкой, для определения Ge - ртутная капля).
There are no comments on this title.