Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов : Промежуточный отчет о НИР : Тема : ТОМ - ЭДиП - I / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель Ю. М. Анненков ; Т. С. Франгульян

Secondary Author: Анненков, Ю. М.;Франгульян, Т. С.Corporate Author (Secondary): Томский политехнический институт (ТПИ), (1944-1991)Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : 1989Description: 79 л.Bibliography: Библиогр.: с. 76-79..Subject - Topical Name: Кристаллы ионные -- Действие ионизирующих излучений | Керамика -- Спекание Subject: отчеты о НИР | радиационные дефекты | электронное облучение | диэлектрики | спекание | радиационно-термические процессы
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Star ratings
    Average rating: 0.0 (0 votes)
Holdings
Cover image Item type Current library Home library Collection Shelving location Call number Materials specified Vol info URL Copy number Status Notes Date due Barcode Item holds Item hold queue priority Course reserves
Books НТБ ТПУ Научный фонд Р-5253 Available 13821000413539
Total holds: 0

Библиогр.: с. 76-79.

There are no comments on this title.

to post a comment.