Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / О. П. Толбанов ; Томский государственный университет
Language: русский.Country: Россия.Publication: Томск : [Б. и.], 1999Description: 34 с.Subject: физика | арсенид галлия | электронные свойства | микроэлектроника | легирование | полупроводниковые приборы | полупроводники | авторефераты диссертаций| Cover image | Item type | Current library | Home library | Collection | Shelving location | Call number | Materials specified | Vol info | URL | Copy number | Status | Notes | Date due | Barcode | Item holds | Item hold queue priority | Course reserves | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Books | НТБ ТПУ Научный фонд | С-20174 | Available (доступ ограничен) | 13821000022247 |
Total holds: 0
Для получения документов с грифом ДСП пользователь оформляет заявление… Правила оформления смотрите https://lib.tpu.ru/html/catalog-instructions в разделе "Электронный заказ документов"
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.